工学 NAND型フラッシュメモリのゲート電圧が“逆転する理由”を物理的に理解する解説記事
NAND型フラッシュメモリでは、フローティングゲートに蓄えられた電荷量によってチャネルが形成されやすいかどうかが変化します。しかし、多くの初学者がつまずくポイントとして、「電子が入る=ゲート電圧が高く必要?」という直感と、実際の動作が逆にな...
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